Übersicht
Hier zeigen wir Graphitmaterialien mit SiC-Beschichtung, die für Öfenteile für die Herstellung von Siliziumhalbleitern, Verbindungshalbleitern und Glasfaser verwendet werden.
Eigenschaften
Gleichmäßigkeit
Aufgrund der lediglich geringen Fluktuationen auf der Materialoberfläche, ist eine gleichmäßige Wärmeverteilung gewährleistet. Dies ermöglicht den Einsatz im Bereich des Epitaxialwachstums.
Funktion
Die Beschichtung ist homogen und schwer ablösbar. Die Fluktuationen auf gleicher Ebene sind gering, wodurch die Produktion hochqualitativer Wafer ermöglicht wird.
Technisches Datenblatt
